CIS等效读出噪声
低至~100uV
每μm2像素灵敏度
>2.2V/lx•s
peak QE>73%
多重曝光
合成技术+40dB
像素双转换
增益技术+18dB
满阱扩展
技术+6dB
厚硅BSI-Gen1：
850nm QE>50%,940nm QE>20%
厚硅BSI-Gen2：
850nm QE>60%,940nm QE>38%
<60mW@1080p/30fps
无全画幅输出模式功耗
<2mW@360p/5fps
无AO模式功耗
